SanDisk ha anunciado una innovadora tecnología de memoria llamada Flash de Alto Ancho de Banda (HBF), que combina la alta capacidad del almacenamiento 3D NAND con el ancho de banda extremo de la memoria HBM. Esta solución está diseñada para aplicaciones de inferencia de IA, ofreciendo un gran ancho de banda, alta capacidad y bajo consumo energético. La primera generación de HBF permitiría hasta 4 TB de VRAM en GPU, con potencial para más capacidad en futuras versiones. Además, SanDisk prevé que esta tecnología llegue a dispositivos como teléfonos móviles, aunque aún no ha anunciado una fecha de lanzamiento.
Según Alper Ilkbahar, jefe de tecnología de memoria en SanDisk, HBF igualará el ancho de banda de la memoria HBM, pero con 8 a 16 veces más capacidad a un coste similar. La arquitectura de HBF se basa en la tecnología BICS 3D NAND de SanDisk, que utiliza un diseño CMOS directamente unido a la matriz (CBA), permitiendo el acceso paralelo a múltiples submatrices de memoria flash. Esto aumenta significativamente el ancho de banda al dividir la matriz en muchas submatrices accesibles simultáneamente.
SanDisk ha desarrollado una tecnología de apilamiento patentada para HBF, que minimiza la deformación y permite apilar hasta 16 matrices de núcleo HBF junto con una matriz lógica que gestiona cientos o miles de flujos de datos en paralelo. Aunque la compañía no ha revelado cifras de rendimiento específicas, se espera que HBF compita con el ancho de banda de HBM (~128 GB/s por pila) o incluso con el más reciente HBM3E, que alcanza 1 TB/s por pila en GPUs como el Nvidia B200.
Esta tecnología podría revolucionar el mercado de la memoria, especialmente en aplicaciones de IA y computación de alto rendimiento, al ofrecer una alternativa más escalable y eficiente a las soluciones actuales.
